1N4934 100V 1A 150nS Si-Diode DO-41

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Produktbeschreibung

DIODE SCHNELL,1A,100V
Diodentyp:Schnelle Erholungszeit
Spannung, Urrm(V):100V
Strom, If d.:1A
Spannung, Uf(V) max.:1.2V
Zeit, trr max.:150ns
Strom, Ifs max.:30A
Betriebstemperaturbereich:-50°C bis +150°C
Diodengehäusestil:DO-41
Pin, Anzahl der:2
SVHC:No SVHC (15-Dec-2010)
Anschlussart:Axial bedrahtet
Durchmesser, Außen-:2.7mm
Gehäusetyp:DO-41
Leistung, Ptot:2.5W
Länge/Höhe, Außen-:5.2mm
Spannung, Durchlaß-, bei If:1.2V
Strom Ifsm:30A
Strom, If, Uf(V):1A
Temperatur, Tj max.:150°C
Temperatur, Tj min.:-50°C
Wärmewiderstand, Verbindungsstelle zu Gehäuse:50°C/W
Zeit, typ.:150ns

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