MJ802 NPN 100V 30A 200W TO-3 Transistor

Typ MJ802
Gehäuse TO-3
Hersteller ON Semiconductor
Herst.-Abk OnS
Ausführung NPN
IC 30 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO) 100 V
VCE Sättigung (max.) 800 mV
Kollektor Reststrom I(CES) 1 mA
Ptot 200 W
DC Stromverstärkung (hFE) 25
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom 7.5 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung 2 V
Transitfrequenz f(T) 2 MHz
Max. Temperatur: 200°C
Montageart Durchführungsloch
RoHS-konform Ja