Produktbeschreibung
Hersteller ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 100V
Drainstrom 6.2A
Verlustleistung 2W
Gehäuse SO8
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 23mΩ
Montage SMD
Gate-Ladung 8nC
Kanal-Art stark
Eigenschaften von Halbleiterelementen ESD protected gate
Diesen Artikel haben wir am 19.02.2022 in unseren Katalog aufgenommen.