Produktbeschreibung
Hersteller ONSEMI
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie DMOS
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 60V
Drainstrom 500mA
Drainstrom im Impuls 1.2A
Verlustleistung 0.83W
Gehäuse TO92
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 5Ω
Montage THT
Verpackungs-Artunverpackt
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie DMOS
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 60V
Drainstrom 500mA
Drainstrom im Impuls 1.2A
Verlustleistung 0.83W
Gehäuse TO92
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 5Ω
Montage THT
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Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
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