Produktbeschreibung
Hersteller ONSEMI
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie QFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 60V
Drainstrom 37.1A
Drainstrom im Impuls 210A
Verlustleistung 121W
Gehäuse TO220-3
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 21mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 24.5nC
Diesen Artikel haben wir am 26.04.2021 in unseren Katalog aufgenommen.