IRF1407 N-FET 75V 130A 330W TO-220 Ron 0,008E

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Produktbeschreibung

Hersteller Infineon (IRF)
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 75V
Drainstrom 130A
Verlustleistung 330W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 7.8mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 160nC                                                                                                 

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