Produktbeschreibung
Hersteller Infineon (IRF)
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 75V
Drainstrom 89A
Verlustleistung 170W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 9.4mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 71nC
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 75V
Drainstrom 89A
Verlustleistung 170W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 9.4mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 71nC
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Diesen Artikel haben wir am 22.10.2019 in unseren Katalog aufgenommen.
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