IRF510 N-FET 100V 4A 43W TO-220

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Produktbeschreibung

Hersteller VISHAY
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 100V
Drainstrom 4A
Verlustleistung 43W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 540mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 8.3nC

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