IRF520 N-FET 100V 9,7A 48W TO-220 0,27E

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Produktbeschreibung

Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 100V
Drainstrom 9.7A
Verlustleistung 48W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 0.2Ω
Montage THT
Gate-Ladung 16.7nC
Verpackungs-Art Tube
Kanal-Art stark                                            

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