Produktbeschreibung
Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 100V
Drainstrom 9.7A
Verlustleistung 48W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 0.2Ω
Montage THT
Gate-Ladung 16.7nC
Verpackungs-Art Tube
Kanal-Art stark
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 100V
Drainstrom 9.7A
Verlustleistung 48W
Gehäuse TO220AB
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Widerstand im Leitungszustand 0.2Ω
Montage THT
Gate-Ladung 16.7nC
Verpackungs-Art Tube
Kanal-Art stark
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Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
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