IRF5305 P-FET 55V 31A 110W TO-220 60mOhm

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Produktbeschreibung

Hersteller Infineon (IRF)
Transistor-Typ P-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung -55V
Drainstrom -31A
Verlustleistung 110W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 60mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 42nC 

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