Produktbeschreibung
Hersteller Infineon (IRF)
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 200V
Drainstrom 9.5A
Verlustleistung 82W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 300mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 23.3nC
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 200V
Drainstrom 9.5A
Verlustleistung 82W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 300mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 23.3nC
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Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
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