Produktbeschreibung
Hersteller Infineon (IRF)
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 200V
Drainstrom 9.5A
Verlustleistung 82W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 300mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 23.3nC
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 200V
Drainstrom 9.5A
Verlustleistung 82W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 300mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 23.3nC
Kunden, die diesen Artikel kauften, haben auch folgende Artikel bestellt:
Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
Übersicht | Artikel 66 von 121 in dieser Kategorie« Erster | « vorheriger | nächster » | Letzter »
Kategorien
Schnellkauf
Willkommen zurück!
Zuletzt angesehen
1,10 EUR
inkl. 20 % MwSt. zzgl. Versandkosten
Features:FET Transistoren »
Mehr auf Ihrer privaten Seite »
Hersteller
Versandland
Zahlungsmethoden
Elektronic Lauermann © 2024 | Template © 2009-2024 by modified eCommerce Shopsoftware