IRF630 N-FET 200V 9.3A 82W TO-220 0,3E

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Produktbeschreibung

Hersteller Infineon (IRF)
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 200V
Drainstrom 9.5A
Verlustleistung 82W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 300mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 23.3nC

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