Produktbeschreibung
Hersteller Infineon (IRF)
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 200V
Drainstrom 18A
Verlustleistung 150W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 0.15Ω
Montage THT
Gate-Ladung 44.7nC
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 200V
Drainstrom 18A
Verlustleistung 150W
Gehäuse TO220AB
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Widerstand im Leitungszustand 0.15Ω
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