Produktbeschreibung
Hersteller VISHAY
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 400V
Drainstrom 10A (25°C)
Verlustleistung 125W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 550mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 36nC
Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.