Produktbeschreibung
Hersteller VISHAY
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 500V
Drainstrom 5.1 / 8A
Drainstrom im Impuls 28A
Verlustleistung 125W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 850mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 39nC
Verpackungs-Art Tube
Kanal-Art stark
Dicke Kühlkörper 1.14...1.4mm
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Drain-Source Spannung 500V
Drainstrom 5.1 / 8A
Drainstrom im Impuls 28A
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Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 850mΩ
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Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
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