Produktbeschreibung
Hersteller VISHAY
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 500V
Drainstrom 5.1 / 8A
Drainstrom im Impuls 28A
Verlustleistung 125W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 850mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 39nC
Verpackungs-Art Tube
Kanal-Art stark
Dicke Kühlkörper 1.14...1.4mm
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 500V
Drainstrom 5.1 / 8A
Drainstrom im Impuls 28A
Verlustleistung 125W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 850mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 39nC
Verpackungs-Art Tube
Kanal-Art stark
Dicke Kühlkörper 1.14...1.4mm
Wir empfehlen Ihnen noch folgende Produkte:
Kunden, die diesen Artikel kauften, haben auch folgende Artikel bestellt:
Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
Übersicht | Artikel 79 von 121 in dieser Kategorie« Erster | « vorheriger | nächster » | Letzter »
Kategorien
Schnellkauf
Willkommen zurück!
Zuletzt angesehen
2,60 EUR
inkl. 20 % MwSt. zzgl. Versandkosten
Features:FET Transistoren »
Mehr auf Ihrer privaten Seite »
Hersteller
VISHAY
Versandland
Zahlungsmethoden
Elektronic Lauermann © 2025 | Template © 2009-2025 by modified eCommerce Shopsoftware