Produktbeschreibung
Hersteller Infineon (IRF)
Transistortyp P-MOSFET
Polarisierung unipolar
Transistor-Art HEXFET
Drain-Source Spannung -100V
Drainstrom -23A
Leistung 140W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung 20V
Widerstand im Leitungszustand 117m?
Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse 1.1K/W
Montage THT
Gate-Ladung 64.7nC
Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.