Produktbeschreibung
IRFB20N50KPBFVISHAY
Hersteller VISHAY
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 500V
Drainstrom 20A
Verlustleistung 280W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 0,21Ω
Montage THT
Gate-Ladung 110nC Diesen Artikel haben wir am 23.08.2024 in unseren Katalog aufgenommen.