Produktbeschreibung
Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 60V
Drainstrom 270A
Verlustleistung 375W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 2,5mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 200nC
Diesen Artikel haben wir am 14.11.2024 in unseren Katalog aufgenommen.