Produktbeschreibung
Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 250V
Drainstrom 60A
Verlustleistung 390W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 33mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 99nC
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 250V
Drainstrom 60A
Verlustleistung 390W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 33mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 99nC
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Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
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