Produktbeschreibung
Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 250V
Drainstrom 60A
Verlustleistung 390W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 33mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 99nC
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 250V
Drainstrom 60A
Verlustleistung 390W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 33mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 99nC
Kunden, die diesen Artikel kauften, haben auch folgende Artikel bestellt:
Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
Übersicht | Artikel 73 von 121 in dieser Kategorie« Erster | « vorheriger | nächster » | Letzter »
Kategorien
Schnellkauf
Willkommen zurück!
Zuletzt angesehen
14,95 EUR
inkl. 20 % MwSt. zzgl. Versandkosten
Features:FET Transistoren »
Mehr auf Ihrer privaten Seite »
Hersteller
Versandland
Zahlungsmethoden
Elektronic Lauermann © 2024 | Template © 2009-2024 by modified eCommerce Shopsoftware