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IRFBC30 N-FET 600V 2.3A 74W TO-220 2,2E

IRFBC30  N-FET 600V 2.3A 74W  TO-220 2,2E
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Produktbeschreibung

Hersteller VISHAY
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 600V
Drainstrom 2.3A
Verlustleistung 74W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 2.2Ω
Montage THT
Gate-Ladung 31nC 

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