Produktbeschreibung
Hersteller VISHAY
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 500V
Drainstrom 8.7A
Verlustleistung 190W
Gehäuse TO247AC
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 400mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 150nC
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Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
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