Produktbeschreibung
Hersteller VISHAY
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 600V
Drainstrom 11A
Drainstrom im Impuls 44A
Verlustleistung 180W
Gehäuse TO247AC
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 580mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 70nC
Verpackungs-Art Tube
Kanal-Art stark
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 600V
Drainstrom 11A
Drainstrom im Impuls 44A
Verlustleistung 180W
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Widerstand im Leitungszustand 580mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 70nC
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