Produktbeschreibung
Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 100V
Drainstrom 36A
Verlustleistung 140W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±16V
Widerstand im Leitungszustand 44mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 49,3nC
Verpackungs-Art Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen logic level
Diesen Artikel haben wir am 23.04.2024 in unseren Katalog aufgenommen.