Produktbeschreibung
Hersteller INTERNATIONAL RECTIFIER
Transistortyp N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Transistor-Art HEXFET
Drain-Source Spannung 55V
Drainstrom 41A
Leistung 83W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung 16V
Widerstand im Leitungszustand 22m?
Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse 1.8K/W
Montage THT
Gate-Ladung 32nC
Transistortyp N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Transistor-Art HEXFET
Drain-Source Spannung 55V
Drainstrom 41A
Leistung 83W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung 16V
Widerstand im Leitungszustand 22m?
Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse 1.8K/W
Montage THT
Gate-Ladung 32nC
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Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
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