Produktbeschreibung
Hersteller IXYS
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 650V
Drainstrom 22A
Verlustleistung 390W
Gehäuse TO247-3
Widerstand im Leitungszustand 145mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 37nC
Verpackungs-Art Tube
Kanal-Art stark
Eigenschaften von Halbleiterelementen ultra junction x-class
Bereitschaftszeit 145ns
Diesen Artikel haben wir am 26.01.2021 in unseren Katalog aufgenommen.