IXFP4N100P N-FET 1000V 4A 150W TO-220 3,3E

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Produktbeschreibung

Hersteller IXYS
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 1kV
Drainstrom 4A
Verlustleistung 150W
R/DS(ON) 3,3E
Gehäuse TO220-3
Montage THT
Gate-Ladung 26nC                                                                                     

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