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Hersteller IXYSTransistor-Typ N-MOSFETPolarisierung unipolarDrain-Source Spannung 500VDrainstrom 24AVerlustleistung 480WGehäuse TO3PWiderstand im Leitungszustand 270mΩMontage THTGate-Ladung 48nC
Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
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