Hersteller IXYS
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 500V
Drainstrom 24A
Verlustleistung 480W
Gehäuse TO3P
Widerstand im Leitungszustand 270mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 48nC
Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
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