STB24N60DM2 N-FET 600V 11A 150W D2PAK

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Produktbeschreibung

Hersteller STMicroelectronics
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie SuperMesh™
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 600V
Drainstrom 11A
Verlustleistung 150W
Gehäuse D2PAK
Gate-Source Spannung ±25V
Widerstand im Leitungszustand 200mΩ
Montage SMD                                                                                     

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