Produktbeschreibung
Hersteller STMicroelectronics
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie SuperMesh™
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 600V
Drainstrom 11A
Verlustleistung 150W
Gehäuse D2PAK
Gate-Source Spannung ±25V
Widerstand im Leitungszustand 200mΩ
Montage SMD
Diesen Artikel haben wir am 25.10.2019 in unseren Katalog aufgenommen.