Produktbeschreibung
Hersteller STMicroelectronics
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie SuperMesh™
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 600V
Drainstrom 10A
Verlustleistung 115W
Gehäuse TO220-3
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 0.75Ω
Montage THT
Verpackungs-Art Tube
Kanal-Art stark
Eigenschaften von Halbleiterelementen ESD protected gate
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie SuperMesh™
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 600V
Drainstrom 10A
Verlustleistung 115W
Gehäuse TO220-3
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 0.75Ω
Montage THT
Verpackungs-Art Tube
Kanal-Art stark
Eigenschaften von Halbleiterelementen ESD protected gate
Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
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