Produktbeschreibung
Hersteller STMicroelectronics
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie MDmesh™
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 800V
Drainstrom 11A
Verlustleistung 150W
Gehäuse TO220-3
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 400mΩ
Montage THT
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie MDmesh™
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 800V
Drainstrom 11A
Verlustleistung 150W
Gehäuse TO220-3
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 400mΩ
Montage THT
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Diesen Artikel haben wir am 06.04.2022 in unseren Katalog aufgenommen.
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