Produktbeschreibung
Hersteller STMicroelectronics
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie SuperMesh™
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 600V
Drainstrom 3.8A
Verlustleistung 110W
Gehäuse TO220-3
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 1200mΩ
Montage THT
ESD protected gate
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie SuperMesh™
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 600V
Drainstrom 3.8A
Verlustleistung 110W
Gehäuse TO220-3
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 1200mΩ
Montage THT
ESD protected gate
Diesen Artikel haben wir am 27.03.2023 in unseren Katalog aufgenommen.
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