STP6NK60Z N-FET 600V 3,8A 110W TO-220

STP6NK60Z N-FET 600V 3,8A 110W TO-220
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Produktbeschreibung

Hersteller STMicroelectronics
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie SuperMesh™
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 600V
Drainstrom 3.8A
Verlustleistung 110W
Gehäuse TO220-3
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 1200mΩ
Montage THT
ESD protected gate

Diesen Artikel haben wir am 27.03.2023 in unseren Katalog aufgenommen.

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