STS7NF60L

Beim Modell STS7NF60L handelt es sich um einen STripFET™ II-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der unter Verwendung des einzigartigen Single Feature Size™-Strip-basierten Verfahrens hergestellt wird. Der Baustein zeichnet sich durch eine äußerst hohe Packungsdichte für einen niedrigen Durchgangswiderstand und ein robustes Avalanche-Verhalten aus. Zudem sind weniger Schritte zur Ausrichtung erforderlich, wodurch eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit in der Herstellung erzielt wird.

Kanaltyp n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id 7.5A
Bauform - Transistor SOIC
Rds(on)-Prüfspannung 10V
Verlustleistung 2.5W
Betriebstemperatur, max. 150°C
Drain-Source-Spannung Vds 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand 0.017ohm
Transistormontage Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max. 1V
Anzahl der Pins 8Pin(s)
RDS(on): 0.017 Ohm