STW11NM80 N-FET 800V 8A 150W TO-249

STW11NM80 N-FET 800V 8A 150W TO-249
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Produktbeschreibung

Hersteller STMicroelectronics
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie MDmesh™
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 800V
Drainstrom 8A
Verlustleistung 150W
Gehäuse TO247
Gate-Source Spannung ±30V
Widerstand im Leitungszustand 350mΩ
Montage THT                                                                                     

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Diesen Artikel haben wir am 10.10.2019 in unseren Katalog aufgenommen.

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