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Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ N-MOSFET Technologie HEXFET® Polarisierung unipolar Drain-Source Spannung 55V Drainstrom 17A Verlustleistung 38W Gehäuse DPAK Montage SMD Kanal-Art stark Eigenschaften logic level
Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
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