Produktbeschreibung
Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 55V
Drainstrom 42A
Drainstrom im Impuls 240A
Verlustleistung 110W
Gehäuse DPAK
Gate-Source Spannung ±16V
Widerstand im Leitungszustand 13.5mΩ
Montage SMD
Gate-Ladung 35nC
Verpackungs-Art Rolle
Kanal-Art stark
Eigenschaften von Halbleiterelementen logic level
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 55V
Drainstrom 42A
Drainstrom im Impuls 240A
Verlustleistung 110W
Gehäuse DPAK
Gate-Source Spannung ±16V
Widerstand im Leitungszustand 13.5mΩ
Montage SMD
Gate-Ladung 35nC
Verpackungs-Art Rolle
Kanal-Art stark
Eigenschaften von Halbleiterelementen logic level
Diesen Artikel haben wir am 18.05.2022 in unseren Katalog aufgenommen.
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