MMBF170 N-FET 60V 500mA 300mW SOT-23 1,2Ohm

TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 23 N KANAL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Strom, Id Dauer-: 500mA
Spannung, Uds(V) max.: 60V
Widerstand RDS (on): 5ohm
Spannung, Rds-Messung: 10V
Spannung, Ugs th(V) typ.: 2.1V
Leistungsverlust Pd: 300mW
Bauform: SOT-23
Pin, Anzahl der: 3
SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
BKZ: MMBF170
Breite, Band: 8mm
Breite/Weite: 3.05mm
Gehäusetyp: SOT-23
Kennzeichnung, SMD: MMBF170
Leistung, Pd: 300mW
Leistungsverlust: 300mW
Länge/Höhe, Außen-: 1.12mm
Spannung, Uds(V) typ.: 60V
Spannung, Ugs th(V) max.: 3V
Spannung, Ugs(V) max.: 2.1V
Spannung, Ugs(V), Rds bei Messung: 10V
Strom, Id max.: 500mA
Strom, Idm Impuls: 800mA
Temperatur, Leistung: 25°C
Temperatur, Strom: 25°C
Tiefe, Außen: 2.5mm