Produktbeschreibung
FOTO DIODE 900NM
Wavelength of Peak Sensitivity: 900nm
Winkel, halb: 65°
Strom, Dunkel: 2nA
Diodengehäusestil: DIP
Anzahl Pins: 2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Aktiver Bereich: 7.5mm²
Betriebstemperatur: -40°C bis +100°C
Breite/Weite: 4.7mm
Diode Type: Photodiode
Durchbruchspannung Vbr: 60V
Gehäusetyp: rechtwinklig
Länge/Höhe, Außen-: 4.3mm
Raster, Anschluss: 5.1mm
Sensitivität: 0,62A/W
Spannung, Ur(V) max.: 60V
Spektral-Ansprech-Wellenlänge, Spitzenwert: 900nm
Tiefe, Außen: 2.8mm
Wellenlänge, Spitzen-: 850nm
Wellenlänge, Typ: 900nm
Zeit, Anstieg: 0.05µs
Zeit, Fall: 0.05µs
Wavelength of Peak Sensitivity: 900nm
Winkel, halb: 65°
Strom, Dunkel: 2nA
Diodengehäusestil: DIP
Anzahl Pins: 2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Aktiver Bereich: 7.5mm²
Betriebstemperatur: -40°C bis +100°C
Breite/Weite: 4.7mm
Diode Type: Photodiode
Durchbruchspannung Vbr: 60V
Gehäusetyp: rechtwinklig
Länge/Höhe, Außen-: 4.3mm
Raster, Anschluss: 5.1mm
Sensitivität: 0,62A/W
Spannung, Ur(V) max.: 60V
Spektral-Ansprech-Wellenlänge, Spitzenwert: 900nm
Tiefe, Außen: 2.8mm
Wellenlänge, Spitzen-: 850nm
Wellenlänge, Typ: 900nm
Zeit, Anstieg: 0.05µs
Zeit, Fall: 0.05µs
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Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
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